RN2967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN2967FE(TE85L,F) |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | ES6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
Leistung - max | 100mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Grundproduktnummer | RN2967 |
RN2967FE(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English] | RN2967FE(TE85L,F) PDF - EN.pdf |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2964FE TOSHIBA
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2964CT TOSHIBA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RN2967FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage |
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Zielpreis (USD)
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